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中新网上海4月17日电(记者陈静)在一眨眼的时间内，超级闪存已经工作了10亿次，而原来的U盘只能1000次。相当于光在走了12厘米的时间内，几千个电子已经储存完毕。
记者17日获悉，复旦大学周鹏/刘春森团队成功研制“破晓(PoX)”皮秒闪存器件，擦写速度达到亚1纳秒(400皮秒)，是人类目前掌握的最快半导体电荷存储器件。
北京时间4月16日深夜，相关研究成果发表于国际顶尖期刊《自然》(Nature)。
据介绍，目前速度最快的存储器均为易失性存储器，断电后数据丢失的特性限制了其在低功耗场景下的应用，难以满足AI计算对数据极高速存取的需求。
复旦大学周鹏/刘春森团队构建了准二维高斯模型，成功从理论上预测了超注入现象，并据此研制“破晓(PoX)”皮秒闪存器件，其性能超越同技术节点下世界最快的易失性存储SRAM技术；通过AI算法对工艺测试条件实现科学优化，极大推动技术创新与落地。
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